网易模拟电路
1、二极管
| 材料 | 开启电压/V | 导通电压/V | 反向饱和电流/uA |
| 硅（Si） | ≈0.5 | 0.6~0.8 | <0.1 |
| 锗（Ge） | ≈0.1 | 0.1~0.3 | 几十 |
二极管主要参数：
最大整流电流If：长期运行时允许通过的最大正向平均电流。
最高反向工作的电压Ur：允许外加的最大反向电压。
反向电流Ir：未击穿时的反向电流，Ir越小，单向导通性越好。
最高工作频率fm：工作的上限截止频率，超过此值时单向导通性变差。
2、三极管（BJT）
截止区：Ube <= Uon且Uce > Ube，此时Ib = 0；
放大区：Ube > Uon且Uce >= Ube，此时Ic = βIb，输出特性是一族横轴的等距离平行线；
饱和区：Ube > Uon且Uce < Ube，Ic < βIb。
3、场效应管（FET）
分为结型（JFET）和绝缘栅型（MOSFET）。
根据特性曲线分为：可变电阻区、恒流区、夹断区。
4、共模分量和差模分量
两个差分信号U1和U2，共模分量为Uc，差模分量为Ud，则两个差分信号可以写为：
所以把左边的(U1 + U2) / 2 作为共模分量，右边的(U1 - U2) / 2作为差模分量。
1、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-4.7V，-5 V，则这只三极管是 （NPN 型锗管）
2、影响电子产品正常工作的环境条件包含了（气候条件、机械条件、电磁干扰）
3、给出一差分电路，已知其输出电压 Y+和 Y-，共模分量Yc和差模分量Yd，如下表述正确的是：
Y+=Yc + Yd； Y-=Yc - Yd； Yc=(Y+ + Y-)/2； Yd=(Y+ - Y-)/2；