内存控制器

CPU把地址命令发送给内存控制器

然后内存控制器再根据 CPU 发过来的地址

1. 判断这个地址在什么范围 （发出nGCS6 片选信号6）SDRAM

2. 根据类型(SDRAM)拆分地址

a. BANK地址

b. 行地(RAS) Row Address

c. 列地址(CAS) Column address

？？ 怎么拆分地址？

行地址几条RAS

列地址几条 CAS

： 这些要设置内存控制器的相关寄存器

3.读数据

2440 内存控制器的设置   因为这个只接了 nGCS6 所以 只去配置nGCS6

    ********************          寄存器的配置  BWSCON            ****************

Jz2440选择的是2个芯片拼接起来组成32位的数据总线

BWSCON-----BW6----- 10 (32-bit)

BWSCON-----WS6----- 0 (WAIT disable) 用不到

BWSCON-----ST6----- 0 (Not using UB/LB)

一般我们会把 BANK7设置成BANK6一样 虽然我们没有用到BANK7

：BWSCON = 0x22000000

 

     ***********************          BANKCONn        ********************

      BANKCON0--BANKCON5这些寄存器我们现在都不关心  因为没有用到  采取默认值就好 0x0700

            因为我们要操作 SDRAM 对应的是BANKCON6管  所以去配置 BANKCON6

    BANKCON6 -- MT -- 11(Sync.DRAM)                只有选择SDRAM的时候地址才会被拆分成 Row地址 Colu地址            如果不是的话  地址就会一次性发完出去

    如果你设置成 SDRAM的话 你就只需要设置 Trcd   SCAN  (4-bit)

    怎么看列地址应该设置成多少位 ---- 去看芯片手册

HY57V561620C(L)T(P)

4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM

比较常用的内存芯片手册      

然后去 搜索 columu       发现  Column Address :CA0--CA8   9位（9--bie）

然后去搜索 Trcd   

如果我们的 2440 HCLK = 100HMZ             默认是12MHZ

                            T = 10 ns

   说以我们 选择2个时钟周期就可以了   

    BANKCON6 = 0x00018001

     BANKCON6 -- MT -- 11(Sync.DRAM)  

     BANKCON6 -- Tred -- 00

     BANKCON6 -- SCAN -- 01  

    

*********************                REFRESH 刷新寄存器        ********************

REFRESH（32位，用于设定SDRAM的刷新）：


23：是否开启SDRAM刷新，自然选1开启
22：SDRAM刷新模式，选0
21～20：取00或者10，RAS的change时间
19～18：行时间，取11
17～11：0


10~0：就是刷新频率了～～

Refresh period  看SDRAM的芯片手册      ---  

计算公式，R_CNT=2^11+1-SDRAM时钟频率（Mhz）＊SDRAM刷新周期（uS）

HY那个手册上写到：8192个刷新周期用64ms，因此刷新周期＝64000/8192=7.8125
时钟频率有好多种啊，先实验为100Mhz的吧。。

因此计算出来就是1267.75，四舍五入1268－>0x04f4

因此这个REFRESH取值是 0x008c04f4，简单计算方法就是0x008c0000 + 04f4

*****************        BANKSIZE        *************

BANKSIZE（32为寄存器）：

支持核突发，使用SCKE，仅在SDRAM期间发出SCLK，地址空间64Mb
因此BANKSIZE为 0x000000B1

MRSRB6~7（SDRAM模式设置）

3个时钟周期，0x3