WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR

WNM3013增强型MOS场效应晶体管WNM3013-3/TR
小信号N沟道，50V，0.25A，MOSFET

说明

WNM3013是N通道增强型MOS场效应晶体管。使用先进的沟槽
技术和设计，提供卓越的RDS（ON）低栅极电荷。该设备适合使用
在小信号开关。标准产品WNM3013 不含铅，不含卤素。

绝对最大额定值

WILLSEM FAE:13723714328
热阻额定值
a表面安装在FR-4板上，使用1平方英寸焊盘尺寸，1盎司铜
b表面安装在FR-4板上，使用最小焊盘尺寸，1oz铜
c脉冲宽度<380μs，占空比<2％
d最高结温TJ = 150°C。
参数符号10 S稳态单元
漏源电压VDS 50V
栅源电压VGS±20

连续漏极电流a d TA = 25°C ID 0.27 0.25A
TA = 70℃0.21 0.20
最大功耗a d TA = 25°C PD
0.44 0.38W
TA = 70℃0.28±0.24
连续漏极电流b d TA = 25°C ID
0.23 0.21A
TA = 70℃0.18±0.17
最大功耗b d TA = 25°CPD
0.3 0.27W
TA = 70℃0.2 0.17
脉冲漏极电流c IDM 1.0 A.
工作结温TJ -55至150°C
引线温度TL 260°C
存储温度范围Tstg -55至150°C
参数符号典型最大单位
结至环境热阻at≤10s
RθJA225285°C / W.
稳态270 330
结至环境热阻bt≤10s
RθJA330400
稳态390 460
结至壳体热阻稳态RθJC230265

电子特性（Ta = 25oC，除非另有说明）
参数符号测试条件最小值典型值最大值
关闭特征
排水源故障
电压
BVDSS VGS = 0V，ID = 250uA 50 V.
零栅极电压漏极电流IDSS VDS = 24V，VGS = 0V 1 uA
栅极 - 源极漏电流IGSS VDS = 0 V，VGS =±20V±5 uA
关于特征
栅极阈值电压VGS（TH）VGS = VDS，ID = 250uA 0.8 1.0 1.5 V.
漏极 - 源极导通电阻
b，c RDS（上）
VGS = 10V，ID = 0.45A 1.2 3Ω
VGS = 4.5V，ID = 0.25A 1.3 4
VGS = 4.0V，ID = 0.25A 1.4 4
VGS = 2.5V，ID = 0.01A 1.9 6
VGS = 1.8V，ID = 0.01A 4.0 15
正向传导gfs VDS = 15V，ID = 0.1A 0.5 S.
电容，费用
输入电容CISS VGS = 0 V，F = 1.0 MHz，VDS = 5 V.36
输出电容COSS 22 pF
反向传输电容CRSS 12
总栅极电荷QG（TOT）VGS = 10 V，VDD = 30 V，
ID = 0.1 A. 1.6 NC
阈值栅极电荷QG（TH）0.25
门到源充电QGS 0.4
栅极 - 漏极电荷QGD 0.45
切换特性
导通延迟时间td（ON）VGS = 5 V，VDD = 5 V，RL =500Ω，RG =10Ω，ID = 10m A 8.6NS
上升时间tr 4
关闭延迟时间td（OFF）23.8
下降时间tf 14.2
身体二极管特征
正向电压VSD VGS = 0 V，IS = 0.25A 0.8 1.5 V.