sdram学习笔记

1 SDRAM 命令

命令列表

命令	CS	RAS	CAS	WE
NOT	0	H	H	H
ACTIVE	L	L	H	H
READ	H	H	L	H
WRITE	L	H	L	L
PRECHARGE	L	L	H	L
AUTO REFRESH	L	L	H	L
LOAD MODE REGISTER	L	L	L	L

1.1 ACTIVE（行**）

active命令 用于打开一行。在读写一个Bank中的某个单元之前，需先发送ACTIVE命令，接着发送（READ/WRITE）命令，Active命令和（READ/WRITE）命令之间需要有一个时间间隔，这个间隔叫RCD.如下图所示。

1.2 READ(读)

如果是需要读SDRAM，在Active间隔tRCD之后，需要发一个READ命令。发出READ命令时，列地址同时给出，A10决定在读结束后是否进行PRECHARGE。在发出READ命令之后，存储单元会发出数据，但是数据从存储到IO总线需要一定的时间间隔，即CL(CAS Latency)，一般CL=2或3.数据从时钟沿到IO之间，还有一个时间延长tAC。关于CL和tAC，具体如下波形：

CAS Latency的设置

1.3 WRITE（写）

与READ命令类似，只是WRITE是往SDRAM里写数据，由于写操作没有CAS Latency，所以第一个数据和WRITE命令可以同时发出。

1.4 PRECHARGE（预充电）

预充电用于关闭打开的行。当行被打开（ACTIVE）之后，将一直处于打开状态直到收到PRECHARGE。

1.4 AUTO REFRESH(自动刷新)

自动刷新命令用于防止SDRAM里面的数据因电容放电而丢失。每个存储单元一般64ms 内需要进行一次AUTO REFRESH.
AUTO REFRESH命令每次刷新一行。对于一个行地址为A0到A11的SDRAM芯片来说，刷新命令的间隔为
64ms / (1<<12) = 15.625us.

1.5 LOAD MODE REGISTER

设置SDRAM模式寄存器。