模电(十)结型场效应管
场效应管
以N沟道为例
N沟道管结构：
与晶体管的比较
- 源极（s）-----------e
- 栅极（g）-----------b
- 漏极（d）-----------c
- 截止区---------------截止区
- 恒流区---------------放大区
- 可变电阻区----------饱和区
结型场效应管
N型
在N型半导体上制出两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起引出电极称栅极；N型半导体两端引出一个源极，一个漏极；P区与N区之间称耗尽层；漏极与源极之间非耗尽层，称导电沟道
通常，N沟道结型场效应管正常工作时，须在栅-源之间加反向电压u‘GS(<0);漏-源之间加正向电压u’DS。
栅-源电压对导电沟道影响：
u’DS=0
- u’GS=0时，耗尽层很窄，导电沟道很大
-u’GS的绝对值逐渐增大的过程，导电沟道逐渐变窄，耗尽层变宽
- u’GS的绝对值增大到某一数值，耗尽层闭合，沟道消失； 此时u’GS的值称为夹断电压u‘GS(off)
漏-源电压对漏极电流的影响:
u‘GS为U‘DS(off)至0V之间某一确定的值时
- u’DS=0，因d-e之间无电压，故漏极电流i‘D为零
- u’DS>0[u’GD>U’CS(off)]，i‘D从漏极流向源极，漏极出电压到源极电压以此减小【u‘GD>U’GS(off)且不变，V’DD增大，i’D增大】
- u’GD=U’CS(off)，漏极一端耗尽层出现夹断层；称u’GD=U’CS(off)预夹断
- u’GD<U’CS(off),V’DD的增大几乎全部用来克服沟道电阻，i‘D几乎不变，进入恒流区，i’D几乎仅仅取决于u‘GS。