电磁学乱七八糟的符号(三)
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author:何伟宝
这里重点是针对各种入射反射折射,chapter5 电磁波的传播
review
1.上两张图说明一下极化是怎么回事


2.行波与驻波
1.驻波

每一个点都在等相位震荡
借了,平面电磁波,理想介质to理想导体,垂直入射 讲了一下
2.行波(没找到好一点的图,凑合着看吧)


每一个点都在等幅震荡
平面电磁波,理想介质to理想介质,垂直入射
这里借一个最普通的情况,说明基本概念:
反射系数R
R=Ex0+iEx0−r=η2+η1η2−η1
定义为边界上反射波电场分量与入射波电场分量之比
折射系数T
T=Ex0+iEx0+t=η2+η12η2
定义为边界上折射波电场分量与入射波电场分量之比
可以观察到有:
T−R=1
合成波场量
看书的图看书的图看书的图看书的图:
E1x(z)=Exo+i(1−R)e−jk1z+2REx0+icosk1z
H1y(z)=η1Ex0+i(1−R)ejk1z+2Rη1Ex0+ie−j2πsink1z
对于折射波:
E2x(z)=TEx0+ie−jk2z
E2y(z)=Tη2Ex0+ie−jk2z
平面电磁波,理想介质to理想介质,斜入射
1.垂直极化波
1.垂直极化波:电场强度分量与入射角垂直的波称为垂直极化波
斯涅尔反射定律
θi=θr
斯涅尔折射定律
sinθtsinθi=k1k2=n1n2
其中
折射指数,折射率
n=cμε=ωck
垂直极化波的反射系数和折射系数
R⊥=η2cosθi+η1cosθtη2cosθi−η1cosθt
T⊥=η2cosθi+η1cosθt2η2cosθi
对于非铁磁性媒质,μ1≈μ2≈μ0,则有η2η1=ε2ε1和sinθt=ε1ε2上式可改为
R⊥=cosθi+ϵ1ϵ2−sin2θicosθi−ϵ1ϵ2−sin2θi
T⊥=cosθi+ϵ1ϵ2−sin2θi2cosθi
2.平行极化波
2.平行极化波:电场强度分量与入射角平行的波称为平行极化波
平行极化波的发射系数和折射系数:
R//=η1cosθi+η2cosθtη1cosθi−η2cosθt
T//=η1cosθi+η2cosθt2η2cosθi
对于非铁磁性媒介,上两式可改写为
R//=(ε2/ε1)cosθi+ϵ1ϵ2−sin2θi(ε2/ε1)cosθi−ϵ1ϵ2−sin2θi
T//=(ε2/ε1)cosθi+ϵ1ϵ2−sin2θi2ε2/ε1cosθi
显然,斜入射就是可以分解成垂直极化波和水平极化波而被介绍.
3.全反射
当 |R|=1时,入射波全部反射走了:
显然让$R_{\bot} 和R_{//}$都等于1时会有全反射:
sinθi=ε1ε2(5,1)
对于非铁磁性媒质,μ1≈μ2≈μ0,有:
sinθi=ε1ε2sinθt
显然当θt=2π时全反射,但这个不是重点,因为自变量是θi,所以这只是一个现象而已.
所以有:
临界角θc
满足1.1的θi记作θc有:
θc=arcsinε1ε2
当θi=θc时有:sinθc=1,θt=2π
全内反射
当入射角大于临界角之后,可以求出:
sinθ3t=ε2ε1sinθ3i>sinθt=1
可以看出这个角用平面已经没办法解析了,应该放成复平面再用欧拉公式展开才能探看,但是所幸的是:
cosθ3t=1−sin2θ3t=±jε2ε1sin2θ3i−1=±j(ε2ε1)21sin2θ3i−ε2/ε1=±ja
可以代入反射系数公式,还是可以得到∣R⊥∣=∣R//∣=1,还是达到了全反射的条件
但是这个时候,可以代入折射系数可知,T⊥̸=0,T//̸=0,此时随便带入一个方向的折射波方程得(以垂直为例):
Et(r)=ayT⊥E0+ie−jk2xsinθ3te−jk2zcosθ3tayT⊥E0+ie−azejk2xsinθ3t
可以看到,此时的TEM波已经变成了
振幅往+z方向衰减,方向沿+x方向传播的非均匀平面波,综合反射折射来看,就可以说是很像光纤了

画了个小图,自己了解一下.
从图都可以得出,反射和折射的表面波之间是存在光程差,也就存在着相移,考虑该波等相面:
k2xsinθ3t−ωt=C
求导得相速:
慢波&&表面波
vpx=k2sinθ3tω=sinθ3tvp<vp
所以称该波为慢波,或者是表面波
建议看书P147-148
4.全折射
同理,入射波全部折射进理想介质2,但理论上我们只考虑R//=0具体原因可以看书!
整理得:
布儒斯特角&&极化角θb
sinθi=ε2+ε1ε2
当存在θi满足上式时,记作布儒斯特角θb:
θb=arcsinε1+ε2ε2
此时会有垂直极化分量剩余,也就是说,发生全折射的时候,会剩下垂直极化分量
所以这过程也会被称为极化滤波.所以布儒斯特角也称为极化角
平面电磁波,理想介质to理想导体,垂直入射
由于良导体存在趋肤效应,所以研究折射是没有意义的,所以这里只需要研究全反射条件.
由前文的垂直入射的反射系数和折射系数可以看到:
R=−1T=0
也可以由理想导体的边界中,电场强度切向连续得到,代入前面的垂直入射分析中得:
E1x(z)=Ex0+i(e−jk1z−ejk1z)=−j2Ex0+isink1z
E1y(z)=η1Ex0+i(e−jk1z+ejk1z)=η12Ex0+icosk1z
改写成瞬时形式:
E1x(z,t)=Re[E1x(z)ejωt]=2Ex0+isink1zsinωt
H1y(z,t)=Re[H1y(z)ejωt]=η12Ex0+icosk1zcosωt
由公式可以看出:
- 在固定一个x-y平面(z固定),波幅只会因为t而改变,这个改变是通过改变相位而来的
- 在固定一个周期中(t固定), 相位不会因为z的传播而改变
- 在固定一个周期中(t固定), 波幅会因为z的传播而震荡
直观一点来说,只要你固定x-y平面,固定看一个周期,想着z往着图里投射波形,就可以看见blog开头的
纯驻波
还可以在时均能流密度Sav中:
Sav=21Re[azE1x(z)H1y∗(z)]=21Re[−azjη14∣Ex0+i∣2sink1zcosk1z]=0
可以看出驻波并不会传输能量,只是周期地把电场能量和磁场能量交换了而已.
平面电磁波,理想介质to理想导体,斜入射
跟之前是一样的,斜入射分成垂直极化波和水平极化波来分析
也是只研究全反射
垂直极化入射
垂直极化入射情况下的合成波:
E1(r)=Ei(r)+Er(r)=−ayj2E0+isin(k1zcosθi)e−jk1xsinθi
H1(r)=HI(r)+Hr(r)=[−axcosθicos(k1zcosθi)−azjsinθisin(k1zcosθi)]η12E0+ie−jk1xsinθi
可以看出(统一看电场,因为几乎所有定义都是用电场定义的):
x方向上的行波性
由e−j(k1xsinθi−ωt)给出,而且传播相速为慢波:
vpx=k1sinθiω=sinθivp<vp
z方向上的驻波性
由sin(k1zcosθi)可以得到
振幅非均匀性
振幅往+z方向做周期性变化,方向沿+x方向等相面 传播的非均匀平面波
以上者三点都有点类似于全内反射
横电波性(TE波)
平行极化入射
E1(r)=−[axjcosθisin(k1zcosθi)+azsinθicos(k1zcosθi)]2E0+ie−jk1xsinθi
H1(r)=ay2η1E0+icos(k1zcosθi)e−jk1xcosθi
同上分析,依然有:
x方向上的行波性
行波因子e−j(k1xsinθi−ωt)
由行波因子表示,而且传播相速为慢波:
vpx=k1sinθiω=sinθivp<vp
z方向上的驻波性
驻波因子cossin(k1zcosθi)
由驻波因子表示
振幅非均匀性
振幅随z变化的非均匀平面波
*横磁波(TM波)
在x的传播方向上电场分量不为0,磁场分量为0
结语
第五章算是写完了,剩下的内容课上也没有介绍了,
开始从单纯的抄写公式到以公式入手理解意义了.也开始配了简单的图
但是万万不足的是,blog上大多其实还是结论,
真正要处理的波动方程除了难一点的之外都没有写出,还需要大家好好看书!
如果你想请我吃个南五的话