TPS51200DRCR 德州TI具有用于 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 VTTREF 缓冲基准的 3A 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

描述
TPS51200 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。FAE:13723714318

TPS51200 可保持快速的瞬态响应，仅需 20µF 超低输出电容。TPS51200 支持遥感功能，并满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外，TPS51200 还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压，并提供一个 EN 信号在 S3（挂起至 RAM）期间针对 DDR 应用对 VTT 进行放电。

TPS51200 采用带散热焊盘的高效散热型 10 引脚 VSON 封装，具有绿色环保和无铅的特性。其额定温度范围为 -40°C 至 +85°C。

特性
输入电压：支持2.5V和3.3V电源轨
VLDOIN电压范围：1.1V至3.5V
具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
需要超小的输出电容20µF（通常为3×10µF MLCC），可用于存储终端应用（DDR）
用于监视输出稳压的
EN输入
REFIN输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
远程检测（VOSNS）
±10mA缓冲基准（REFOUT）
内置软启动，欠压锁定（UVLO）和过流限制（OCL）
热关断
支持DDR，DDR2，DDR3，DDR3L，低功耗DDR3和DDR4 VTT应用
带有散热散热的10最终超薄小外形尺寸无引线（VSON）封装