以下内容来自于哔哩哔哩视频网站的王道论坛的计算机组成原理****，如有侵权，请联系我删除掉

遇到的问题

前面提到了动态随机存取器DRAM的电荷只能维持2ms，那么该以怎么样的方式使其保持状态稳定呢

需要解决的问题是

要想在2ms内，存储器上面的所有的存储单元都被刷新到，需要思考下面几个问题

• 多久刷新一次
• 每次刷新多少个存储单元
• 如何刷新
• 在什么时刻刷新

模型图

为什么要采用行地址和列地址的组合模式

通过前面的分析可以知道，如果输入到译码器的地址线有n根，那么存储体内就有2ⁿ根选通线来对应存储单元，采用了行列地址模式之后，需要的是2^n/2+2^n/2根线。大大减少了布线的复杂性和选通线的数量，以8个地址线为例，如果采用简单模型，则需要256根线，而采用了行列地址模式，则只需要32根选通线。
关于刷新，是有硬件支持为基础的，就是读取一行的信息然后重新写入，这个过程占用的是一个读/写周期。
接下来看如果行列地址的时候，可用的三个刷新策略
以下是一个行列为128*128的地址，读写周期为0.5微秒的存储器的例子，先换算以下时间单位
1 m s = 1000 u s 1ms=1000us 1ms=1000us, 2 m s = 2000 u s 2ms=2000us 2ms=2000us

• 每次读写完，都刷新一行

存在的问题是有的行可能会被刷新多次

此时每次读写完占用了0.5us，然后又利用了0.5us进行刷新，也就是说一个存储周期用了1us，那么2ms内就有2000个周期，也就是是说每行都被刷新了2000次，这显然对性能是一种浪费

• 2ms内集中安排时间全部刷新

存在的问题是存在一个较长的死区，这段时间无法访问存储器

此时前面的一段时间时间专门用来读写操作，后面一定要留下充足的时间来对所有的行进行集中刷新，因为一共有128行，那么集中刷新的时间就是128*0.5us，也就是64us来刷新，这64us是死区，无法访问存储器，这个死区可能用无法忍受的

• 2ms每行刷新一次即可

目前存储器采用的就是这种策略

如果在2ms内128行只需要刷新一次，那么就把2ms分割成128个周期，每个周期分别刷新一次就可以了，2ms/128=15.6us，那么在每个15.6us的末端只要留下0.5us进行刷新，前面的时间都用来读写操作即可
特别说明: 不论是哪一种刷新策略，在死区都是无法访问存储器的