C6748_EMIF_NandFlash_访问异步地址
CS3有效，则外部存储设备基地址为0x6200 0000
（手册P24）
nandflash命令锁存周期时序如图：
（nandflash手册P43）
nandflash地址锁存周期时序如图所示：
（nandflash手册P44）
ALE接EMA_A1，CLE接EMA_A2。锁存地址时，CLE为低，ALE为高，则EMA_A2为低，EMA_A1为高，对应的EMIF地址应该是（基地址+0x02），基地址为CS3片选有效区域起始地址0x6200 0000，因为访问的nandflash是8位异步存储外设，所以最低两位地址线是EMA_BA[1:0]，所以EMA_A[x:0]的地址要整体左移两位（2<<0x02），故锁存地址时所对应的EMIF地址应为（基地址+0x08）。锁存命令时，CLE为高，ALE为低，则EMA_A2为高，EMA_A1为低，对应的EMIF地址应该是（基地址+(2<<0x04)= 基地址+0x10）。锁存数据时，CLE为低，ALE为低，则EMA_A2为低，EMA_A1为低，对应的EMIF地址应该是（基地址+(2<<0x00)= 基地址+0x00）。
（指南P750）
（指南P751）
（指南P766）
（指南P766）
参考连接图：
（手册P110）
（手册P111）