3.5 双端口RAM和多模块存储器

思维导图

双端口RAM

出现四种情况

• 两个端口不同时对同一地址单元存取数据。
• 两个端口同时对同一地址单元读出数据。
• 两个端口同时对同一地址单元写入数据。
• 两个端口同时对同一地址单元操作，一个写入数据，另一个读出数据

出现错误

• 第三种出现写入错误
• 第四章出现读出错误
• 解决方法：其中一个端口置忙

多模块存储器

单体多字存储器

• 同一地址取出M个指令，然后1/m周期，cpu取一个。
• 优点：增大了存储器的带宽，提高了存储器工作的效率
• 缺点：指令和数据在主存内必须是连续存放的，如果遇到转移指令，或操作数不能连续存放，效果就不明显了

多体低位交叉存储器

• 由多体模块组成，每个模块相互独立。

• 分类

  • 高位交叉编址

    • 模块内连续
    • cpu按顺序访问模块，因此不能并行访问存储模块，所以也不能提高存储器的吞吐率
    • 编址方式：把低位的体内地址送到由高位体号确定的模块内进行译码。
    • 存储器方式仍是串行存取，因此这种存储器仍是顺序存储器

  • 低位交叉编址

    • 低位地址为体号，高位为体内地址
    • 模m进行交叉编址。
    • 编址方式：把高位的体内地址送到由低位体号确定的模块内进行译码。
    • 程序连续存放在相邻模块中，因此成为交叉存储器
    • 另外：这种编址可以在不改变每个模块存取周期的前提下，采用刘淑娴的方式进行存取，提高存储器的带宽。

考点

低位交叉编址流水线方式

• 存储器模块大于等于m=T/r （T：模块去一个字的存取周期，r总线传送周期,)
  前提：模块字长等于数据总线宽度

计算顺序方式和交叉方式的周期