NANDFLASH与RAM，NORFLASH一些概念

小白第一次发博文，望大佬指正！

符号与缩略语与基本原理解释

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DDR ： DDR就是DDR SDRAM，就是双倍速的SDRAM,之所以是双倍速，是因为在系统时钟的上升沿与下降沿都可以传输数据

UFS ： 手机上，从SD卡，到eMMC卡，再到UFS卡，存储卡的速度也是越来越快。现在一般手机配的是eMMC，旗舰高端手机配的是UFS。(ufs与eMMC差别主要在于内部主控器与接口标准和协议不同)

SLC ：NAND Flash根据存储原理分为三种，SLC、MLC、TLC。一个存储器单元可存储1bit数据，只存在0和1两个充电值

MLC： 2 bit per cell

TLC： 3 bit per cell

MCP： 将两种以上的记忆晶片堆叠在一块，外部通过BGA封装好，例如NANDFLASH加上DRAM. 可简化PCB板结构与系统设计。

eMMC： 以MCP的方式将NANDFLASH和控制器整合在一块，外部用BGA封装

eMCP： 同传统MCP相比，多了 控制晶片
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首先要弄明白一个问题，为什么闪存具有记忆的能力呢？可以看一下存储单元的内部结构。

用通俗语言解释就是说，NAND的存储单单元gate极与衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。根据NAND的物理结构，NAND是通过绝缘层存储数据的。当你要写入数据，需要施加电压并形成一个电场，这样电子就可以通过绝缘体进入到存储单元，此时完成写入数据。如果要删除存储单元（数据），则要再次施加电压让电子穿过绝缘层，从而离开存储单元。 所以，NAND闪存在重新写入新数据之前必须要删除原来数据。
那么TLC 是怎么实现的呢？答案是通过控制不同数量的电子进入到存储单元来实现。见下图：

可以推测，TLC的寿命比SLC 和 MLC短的多，原因是由于TLC采用不同的电压状态，加上存储容量多，击穿绝缘层次数也比其他介质多，于是加速了绝缘层的损耗过程。所以，TLC SSD的寿命比SLC、MLC短得多。

RAM与NANDFLASH和NORFLASH的区别

首先，不要问我为什么没有ROM，因为ROM特么的就是个垃圾，就跟学习MOS管你还去学耗尽型MOS管一样，大家都不用的东西，就不用去管它了。

1. NOR 内部可以直接跑程序（专业术语叫带XIP： 芯片内执行），这是和NAND最大的区别。很多boot都直接放在NOR里面，开机后直接跑起来。这就意味着NOR可以替代SRAM了。
2. 断电后RAM里的数据就没有了，flash仍然有，所以这就是为啥boot放NOR里面的原因。
3. NAND写入的速度比NOR快，并且容量大，价格便宜。所以NAND适合做替代磁盘做存储器。NOR读出速度快。
4. NOR带SRAM接口，有足够的多的地址引脚来访问每一个存储单元，NAND只能按块来访问。
5. NAND的最大擦写次数比NOR强，大概100万次，NOR只有10万次左右。
6. NAND容量大

NANDFLASH的硬件连接

先来看看 NANDflash 的布线：

可以看出，就data0~data7 八根数据线。那么，问题来了，站在硬件工程师的角度来说，就八根数据线，外部是怎么对flash进行地址操作，以及发送命令操作的呢？
所以诀窍就在这几根线：

总结一下来说就是这样子工作的：

那么问题又来了，很多时候MCU的这几根数据线可不止光接NANDFLASH这一个外设，还会同时接 NORFALASH, SDRAM等，那么是怎么避免相互间干扰的呢？

答案很简单，就是靠的就是这根片选信号线：

假如把 数据 地址 命令 这三个都发给了flash后，怎么判断flash的执行状态呢？

答案仍然很简单，靠的就是RnB这根状态判断引脚来判断。

总结一下就是下面的表格：

RE WE就是 读写信号。

NANDFLASH的操作顺序

一般操作NANDFLASH的顺序都是三步走： 发出命令，给出地址，再读写数据

现在来看看具体的操作NANDFLASH的实例(读取NANDFLASH内部的ID值)：