VND5T050AKTR-E双通道高侧驱动器 具有24 V的模拟电流检测 汽车应用STM

VND5T050AKTR-E
双通道高侧驱动器,具有24 V的模拟电流检测
汽车应用
VND5T050AKTR-E双通道高侧驱动器 具有24 V的模拟电流检测 汽车应用STM

特征

一般

  • 待机电流非常低
  • 3.0 V CMOS兼容输入
  • 优化的电磁辐射
  • 极低的电磁敏感性
  • 符合欧洲指令
    2002/95 / EC
  • 故障复位待机引脚(FR_Stby)
    诊断功能
  • 比例负载电流检测
  • 宽电流检测精度
    电流
  • 断态开路负载检测
  • 输出短至VCC检测
  • 过载和短路接地闭锁
  • 热关断闩锁
  • 极低的电流检测泄漏
    •保护
  • 欠压关机
  • 过压钳
  • 负载电流限制
  • 快速热瞬态的自限制
  • 防止地面损失和损失
    VCC
  • 热关机
  • 静电放电保护
    VND5T050AKTR-E双通道高侧驱动器 具有24 V的模拟电流检测 汽车应用STM

应用

所有类型的电阻,电感和电容负载

描述

VND5T050AK-E是一款单片器件使用STMicroelectronics®VIPower®技术,
用于驱动电阻或电感负载一侧接地。主动VCC引脚电压钳可保护器件不受低电压影响能量峰值。
该器件集成了模拟电流检测功能它提供与负载成比例的电流当前。
过载等故障情况报告超温或短路至VCC电流检测引脚。
输出电流限制可保护设备过载情况。设备将锁定过载或热关机的情况。
通过故障的低电平通过复位器件重置待机引脚。
输入和故障的永久低电平复位待机引脚禁用所有输出并设置设备处于待机模式。
VND5T050AKTR-E双通道高侧驱动器 具有24 V的模拟电流检测 汽车应用STM
方框图和引脚说明
绝对最大额定值
VND5T050AKTR-E双通道高侧驱动器 具有24 V的模拟电流检测 汽车应用STM
强调设备高于表3中列出的额定值可能会导致永久性损坏
装置。 这些只是压力等级和设备在这些或任何其他操作
超出本规范操作部分所述条件的条件不是
默示。 长时间暴露于本节报告的条件可能会影响设备可靠性
FAE :137237 14328
VND5T050AKTR-E双通道高侧驱动器 具有24 V的模拟电流检测 汽车应用STM
解决方案1:接地线中的电阻(仅限RGND)
该解决方案可用于任何类型的负载。
以下等式表示如何调整RGND电阻的大小。
1.RGND≤600mV /(最大IS(on))。
2.RGND≥(-VCC)/(-IGND)
其中-IGND是直流反向接地引脚电流,可以在绝对值中找到
器件数据表的最大额定值部分。
RGND的功耗(当VCC <0时:反向电池情况下)是:
PD =( - VCC)
2 / RGND
该电阻可以在几种不同的HSD之间共享。请注意值
该电阻应使用公式(1)计算,其中IS(on)max变为总和
不同器件的最大导通电流。
请注意,如果微处理器接地未被设备地共享,那么
RGND将在输入阈值和状态输出中产生一个移位(IS(on)max * RGND)
值。这种转变将取决于多个设备的ON数量
高端驱动程序共享相同的RGND
如果计算出的功耗导致大电阻或多个器件必须共用
相同的电阻然后ST建议使用解决方案2(见下文)

解决方案2:地线中的二极管(DGND)
如果器件驱动,则应将一个电阻(RGND =4.7kΩ)与DGND并联插入
感应负载。
这种小信号二极管可以安全地在几种不同的HSD之间共享。也在这
例如,地面网络的存在将在输入中产生移位(≈600mV)
阈值和状态输出值,如果微处理器接地不常见
设备接地。如果多于一个HSD共享相同的二极管/电阻网络,则该移位不会改变。

负载转储保护
如果负载突降峰值电压超过,则Dld是必需的(电压瞬态抑制器)
VCC最大直流额定值。如果设备在VCC线路上受到瞬变,则同样适用
大于ISO T / R 7637/2表中显示的值。

MCU I / O保护
如果使用接地保护网络并且VCC线路上存在负瞬态,
控制引脚将被拉负。 ST建议将电阻器(Rprot)插入线路中
防止微控制器I / O引脚锁存。
这些电阻的值是微控制器漏电流之间的折衷
以及HSD I / O所需的电流(输入电平兼容性)和闩锁限制,微控制器I / O.
-VCCpeak /Ilatchup≤Rprot≤(VOHμC-VIH-VGND)/ IIHmax
计算示例:
对于VCCpeak = -600 V和Ilatchup≥20mA; VOHμC≥4.5V.
30kΩ≤Rprot≤180kΩ。
推荐的Rprot值为60kΩ
PowerSSO-24机械数据
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