一、存储器的种类

根据掉电数据是否会丢失分为易失性存储器和非易失性存储器：
易失性存储器：掉电数据会丢失。如XRAM、SRAM等。虽然掉电数据会丢失，当时它读写速度相对较快。
非易失性存储器：掉电数据不会丢失，如SPI FLASH、EEPROM等。虽然掉电数据不会丢失，当时它读写速度相对较慢。

二、RAM存储器

2.1 DRAM的存储单元结构

DRAM以电容的电荷来表示数据，这一个小框图表示一个数据位的存储，存储数据的时候，如果电容Cs充满了电，那么这个位表示存储了1，如果电容放电完了，表示该数据位存储0。这里会出现一个情况，就是该位存储数据1的时候，电容存的如果是3.3V电压，但是写入数据之后如果不重复写1的话，电容会慢慢掉电，可能该位存储的数据就因为掉电而变成0了。也正是因为DRAM里是以电容的形式存储数据的，它存储的电压是可能变化的，所以叫动态随机存储器。

2.2 SRAM的存储单元结构

SRAM以锁存器来存储数据，这一个小框图表示一个数据位的存储，因为锁存器是一个稳态结构，相对于上面的DRAM的存储方式，这里锁存器里如果存的是1，只要不掉电，这里就维持是数据1。而因为SRAM这个存储结构存储一个数据位是静态的，所以叫做静态随机存储器。

2.3 DRAM和SRAM的特性对比

• DRAM相对SRAM速度较慢是因为DRAM存储以为需要经过RC电路给电容充放电。
• 是否需要刷新指的是，电容充放电的过程，因为DRAM需要放置放电导致数据发生错误，所以DRAM需要不停的刷新数据，而SRAM不需要。也正是因为DRAM需要刷新，所以控制较复杂，而SRAM不需要刷新，控制相对容易。

三、存储器的通信方式

• DRAM里一般采用同步通讯的方式，因为DRAM采取同步的通信方式，所以DRAM加Synchronous，表示同步。SRAM一般采用异步的通信方式，所以SRAM 没有加 S。

不同种类SDRAM的差异

四、非易失性存储器

4.1 ROM存储器

ROM是“Read Only Memory”的缩写，意为只能读的存储器。现在一般用于指代非易失性半导体存储器，包括后面的FLASH，有的人也把它包括在ROM类里。

4.2 FLASH存储器

• NorFlash 相对于 NandFlash的存储结构较复杂。类似SSD硬盘、FLASH用的NAND FLASH，芯片内部的SPI
  FLASH 等式NOR FLASH。

• NOR FLASH 相对 NAND FLASH较贵且容量小还用它是因为它支持XIP且坏块较少。

• 因为NAND FLASH必须以“块”为单位读写，所以它不支持XIP，而NOR FLASH可以基于字节读写。

EEPROM 和 FLASH 擦除单元的一个区别

• 存储器的写入操作没法把0改写成1，但支持将1改写成0，所以使用存储器前需要先擦除。
• EEPROM支持以字节为单位擦除，先擦除掉该字节的数据然后直接对该字节写数据就可以了。
• FLASH擦除数据必须以块or扇区为单位擦除成1。