常用存储器介绍
注意："易失/非易失"是指存储器断电后，它存储的数据内容是否会丢失的特性。
（一）RAM和ROM
1.1 RAM
RAM即随机存储器，它是指存储器中的数据被读入或者写入与信息所在位置无关，时间都是相同的
1.1.1 DRAM
DRAM即动态随机存储器，它以电容的电荷表示数据，由于电容的充放电效应，所以存储数据需要定时刷新才能保证数据的正确性。它的优点是集成密度远高于SRAM，功耗低，价格也低；缺点是因需要舒心而使外围电路复杂，速度较SRAM慢，但是比任何ROM都快。尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。
根据DRAM的通信方式又可以分为同步和异步，这两种方式根据是否需要时钟信号来区分，由于同步的通信更快，所以同步的DRAM使用更广泛，同步的DRAM又被称为SDRAM
为了进一步提高SDRAM的通信速度，又设计了DDR SDRAM，双倍速率SDRAM，它是在SDRAM上的一种改进，至于DDRII和DDRIII他们的通信方式并没有区别，主要是通信的同步时钟的频率提高了。
小知识：当前计算机的内存条是DDRIII SDRAM
| 特性 | DRAM | SRAM |
|---|---|---|
| 存取速度 | 较慢 | 较快 |
| 集成度 | 较高 | 较低 |
| 生产成本 | 较低 | 较高 |
| 是否需要刷新 | 是 | 否 |
1.1.2 SRAM
SRAM静态随机存储器，这种存储器是以锁存器的形式存储数据，由于不需要定时刷新充电，所以称为静态的。它的优点是速度快、使用简单、不需要刷新、静态功耗极低，常用作缓存；缺点就是元件较多、集成密度低、运行功耗大，价格高
PSRAM:
基本原理：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。
1.2 ROM
ROM即只读存储器，一般用于指现代非易失性存储半导体
- MASK ROM
MASK(掩膜) ROM就是正宗的"Read Only Memory"，存储在它内部的数据是在出厂时使用特殊工艺固化的，生产后就不可修改，其主要优势是大批量生产时成本低。当前在生产量大，数据不需要修改的场合，还有应用。 - OTPROM
OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可编程存储器。这种存储器出厂时内部并没有资料，用户可以使用专用的编程器将自己的资料写入，但只能写入一次，被写入过后，它的内容也不可再修改。在NXP公司生产的控制器芯片中常使用OTPROM来存储**；STM32F429系列的芯片内部也包含有一部分的OTPROM空间。 - EPROM
EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重复擦写的存储器，它解决了PROM芯片只能写入一次的问题。这种存储器使用紫外线照射芯片内部擦除数据，擦除和写入都要专用的设备。现在这种存储器基本淘汰，被EEPROM取代。 - EEPROM
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是电可擦除存储器。EEPROM可以重复擦写，它的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。现在主要使用的ROM芯片都是EEPROM。
（二）NOR FLASH 和NAND FLASH的区别
FLASH 又称为闪存，也有人称为FLASH ROM，它们的容量一般较大，在擦除时一般以多字节为单位。 相同点：
- Nor flash 和nand flash都是在写入之前进行擦除的
区别：
主要在于Nor flash 的地址线和数据线分开，它可以按字节读取数据，符合CPU的指令译码执行要求， 所以NOR FLASH 可以运行代码，即CPU给NOR FLASH 一个地址，NOR FLASH 就能向CPU返回一个数据让CPU执行，不需要额外的操作，NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高。
而NAND FLASH 数据线和地址线共用，只能按块读写数据，即使存储了代码指令，它也无法返回某数据的地址，所以不能运行程序，NAND FLASH结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
由于两种FLASH存储器特性的差异，NOR FLASH一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而NAND FLASH一般应用在大数据量存储的场合，包括SD卡、U盘以及固态硬盘等，都是NAND FLASH类型的。
| 特性 | NOR FLASH | NAND FLASH |
|---|---|---|
| 同容量存储器成本 | 较贵 | 较便宜 |
| 集成度 | 较低 | 较高 |
| 介质类型 | 随机存储 | 连续存储 |
| 地址线和数据线 | 独立分开 | 公用 |
| 擦除单元 | 以扇区为单位 | 以块为单位 |
| 读写单元 | 可以基于字节读写 | 必须以块为单位读写 |
| 读取速度 | 较高 | 较低 |
| 写入速度 | 较低 | 较高 |
| 坏块 | 较少 | 较多 |
| 是否支持XIP | 支持 | 不支持 |
（三）emmc
eMMC (Embedded Multi Media Card)是MMC协会订立、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC在封装中集成了一个控制器，提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。