STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命

STM32f030

1. FLASH擦写时间
STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命2. FLASH擦写次数和数据保存年限
只能擦写1000次,有点少。非必要,不要擦写。比如记忆流水号之类,经常变动的数据,最好使用EEPROM。
STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命

STM32F103x8, STM32F103xB

1. FLASH擦写时间和电流
STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命2. FLASH擦写次数和数据保存年限
擦写1万次,保存20年。
STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命

STM32F427xx STM32F429xx

1. FLASH擦写电流
STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命2. FLASH擦写时间

编程32bit只要16us,速度提高了近4倍。

STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命3. 使用VPP擦写时间(工厂模式下,64bit)
STM32F0F1F4内部flash擦写时间和寿命4. FLASH擦写次数和数据保存年限
擦写次数提高到1万次,基本应用应该够了。不过对于经常变化的数据建议还是不要在FLASH存储,比如1天要变化记录20次,则10000/20=500天,即将面临失效,导致整个产品报废。
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