ARM公司MC软件使用

Memory Compiler用于生成数字芯片中片商存储SRAM的生成。
关于所生成SRAM的结构和参数概念，参考¹即可。在这里只谈一下自己平时需要设置的参数。下图为软件界面，

参数设定

• Number of Words：SRAM的深度，有范围限制。
• Number of bits：SRAM数据宽度，有范围限制。
• Multiplexer Width：根据官方PDF内设置即可，这个设定与SRAM的形状，有关，有范围限制，如下图。
  
• Frequency：根据系统工作频率设定，个人认为，不同频率，生成的SRAM硬件单元密度，形状，布线是不同的。
• Word-write Mask：掩码，根据需要开启即可。
• Corners：工艺角，一般跟整个系统需要的工艺角相同即可，一般只勾选一个就可以，否则会生成好多文件。ss为slow，tt为均值，ff为fast。

生成文件

• .lib文件：lib库文件转为db库，用于DC综合和ICC后端导入的库文件。
• .lef文件：
• .v文件：生成verilog模型，用于前端仿真。后端不会用到。

lib转db用于DC综合和ICC后端导入的库文件

• Memory compiler输出文件一般为.lib格式，DC读取库位.db格式
• 在lc_shell（library compiler）中运行，与dc_shell启动方式相同
  lc_shell
• 读取.lib文件
  read_lib /路径/文件名.lib
• 生成.db文件
  write_lib USERLIB_ss_0p99v_0p99v_125c -format db -output /路径/文件名.db
• 注意：框中名字在输出db时需要遇到，写错的话无法输出db。
  

lef转FRAM（Milkyway）用于ICC

所需文件：.lef .tf

• Milkyway -galaxy -nogui -load “lef2milkyway.scm”