山东大学软件学院计算机组织与结构实验三

RAM实验

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注意：
本文章内容仅供学习交流使用！
希望各位看到这篇文章的学弟学妹能够先自己动手设计电路图，如果实在是困难太大，再来看这篇文章。认真看电路图和相关的说明，体会实验里的原理及过程。
切记不可照抄！
受自身能力限制，难免有错误之处，希望各位不吝赐教！

如果这些内容影响了教学的进行，导致很多同学不自己动手设计电路，只是照搬照抄，请联系我，我会第一时间删稿！

一、实验目的：
了解半导体静态随机读写存储器RAM的工作原理及其使用方法。
掌握半导体存储器的字、位扩展技术。
二、实验方案：
三、实验要求：
◆采用1K x 4 的芯片，构成1K x 8的存储器。
◆ 选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的
读/写操作实验。
◆采用1K x 4 的芯片，构成2K x 4的存储器。
◆必须使用译码器进行扩展（三输入都用，接开关）。
◆ 选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的
读/写操作实验。
◆ 选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。
◆ 分别设计试验步骤。
◆ 使用开关进行数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM芯片的地址范围。

四、参考器件：
RAM采用两片MM2114
隔离部件采用74LS244
译码器采用74LS138

备注：为简化试验，地址可只用低4位（其余地址可接地）。