LPDDR4 第四章 4.7 读时间参数 4.8 DQS和CK时间参数 4.9 写前导和后导
4.7读时序
4.7.1 tLZ(DQS), tLZ(DQ), tHZ(DQS), tHZ(DQ) 计算
tHZ和LZ在同一个时间窗口内计算时间，原理是利用一个参考电平，参考电平以上以下决定是否驱动DQ/DQS。
本节介绍了一种方法，该方法通过测量两个不同电压下的信号来计算设备不再驱动tHZ（DQS）和tHZ（DQ）或开始驱动tLZ（DQS），tLZ（DQ）时的时间点。 只要计算结果一致，电压测量点不用太在意。 参数tLZ（DQS），tLZ（DQ），tHZ（DQS）和tHZ（DQ）被定义为单端。
4.7.2 DQS驱动时间自动化测试
NOTE1：校准条件：下拉驱动RON=40 VOH=VDDQ/3
NOTE2: DQS对地端接50
NOTE3：VOH的电平靠MR22[2:00]和MR3[0]设置，也有颗粒上的差异原因，使用实际的VOH值来进行tHZ和tLZ的测量。
tLZ的测试基本相似，如下。
4.7.3 DQ驱动时间自动化测试
与DQS一致，很容易理解。
4.8 tDQSCK 
NOTE1：这部分包含了工艺温度和电压的变化。它包括频率> 20 MHz的交流噪声影响以及在固定温度下DC-20 MHz时以及最大电压为45 mV pk-pk的情况。 电源噪声必须符合组件的最小-最大直流工作条件。
NOTE2：tDQSCK_temp 温度和delay变化关系最大的值。
NOTE2：tDQSCK_volt 温度和delay变化关系最大的值。如下，不是看的很明白。==
4.8 tDQSCK CS之间的变动
NOTE1：两cs dram在同一温度电压的小环境下。
NOTE2：参数用于多CS的每条lane之间。
4.9 写前导和后导
DQS信号需要一个前导在第一次采数据之前，需要后导在之后，由MR寄存器配置长短。
在写操作上，需要两个时钟周期。
LPDDR4在写操作是可以由0.5/1.5tck的后导。标准的应该是0.5，时间由主控来把控。下面两幅图展示了不同