国外存储器专利筑起高墙？大陆半导体怎么破

在《国家集成电路产业产业发展推进纲要》、《中国制造2025》等一系列政策计划的落实和集成电路产业投资基金的大力投入之下，已为存储器产业在市场、政策及资金等方面奠定良好的基础，故2015至2016年中国半导体行业将以存储器为发展重点，最主要是存储器与微处理器是发展半导体业不能或缺的领域。

 

特别是存储器的发展不仅是因为其处于集成电路产业的核心地位，更是基于信息安全的考虑，主要是因为唯有在存储器、CPU等核心芯片领域实现自主可控能力（包括核心技术、关键零部件、各类软件全部国产化，自己开发和制造），才能确保国防与信息安全，更何况存储器将在新一代信息技术如物联网、大数据、云端运算等中扮演重要的角色。

 

事实上，有鉴于中国智能型手机、平板计算机、智能可穿戴设备、服务器等消费电子产品在全球的地位稳步提升，对DRAM、NAND Flash等存储器的市场需求也随之提升，预计2016年中国大陆存储器所需的市场规模将达到近2800亿人民币，但目前大陆自给率几乎为零，反映未来进口替代空间大，此成为中国切入存储器市场最大的优势。

 

中国发展存储器产业尚有国家战略、各项配套做为支撑，其中除官方将主导产业垂直整合，也就是企业间将通过共同研发、平台共享、供销协议等方式加强联系、共同分担风险之外，更是积极挖角国际级的存储器管理人才。

 

至于厂商的发展动态方面，除武汉新芯宣布进军NAND领域，计划推出3D-NAND产品拉近与国际大厂的距离之外，联电也将与晋江市政府合作，打造中国的DRAM产业，并以利基型存储器作为切入点，而未来联电初期将以台湾作为研发基地，南科则成联电与晋江合作案的研发重镇，显示联电布局中国市场相当积极，而晋江政府在中国政府的政策与资金支持，并借助联电与南科的技术优势、人才经验，打造另类两岸合作DRAM事业模式。

 

借由上述可知，大陆在不久的将来将开始加入技术专利垄断、市场寡头成型、产业投资巨大、周期性波动剧烈的全球存储器竞争行业中，来实现存储技术及产品的自主可控能力，也使全球存储器市场供需与竞争态势增添不确定因素。

 

值得注意的是，由于全球NAND Flash当前仍是由国际大厂所掌握，也布下绵密的专利网，因此在武汉新芯、同方国芯、万亿基科技（合肥Elpida）尚未取得上述主要国际大厂的技术授权合作，仅有武汉新芯在2015年初与Spansion合作，展开3D NAND Flash技术开发，目前已完成8层NAND Flash芯片之下，未来中国能否顺利从3D NAND Flash切入来架构整体存储器产业，仍有待考验。

存储器科技发展日益蓬勃，除了相关技术外，存储器专利也成为科技公司的竞争利器，根据科技顾问公司iRunway的调查报告，这个趋势日趋明显，存储器专利将掀起另一波专利大战。

　　Virtual Strategy杂志指出，iRunway日前针对DRAM、 SRAM、NAND Flash等各种半导体存储器进行调查，范围涵盖8万多项专利与应用现况，并深入分析近20年间美国存储器专利权的变化，及主要受让人间重要的诉讼与授权合作。

　　该调查显示，美光（Micron）、三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）、IBM和英特尔（Intel）在存储器专利与应用占比最高，合计共占25%；新帝（SanDisk）、美光、英特尔则拥有最多有发展性的专利。

　　在DRAM方面，Conversant、高通（Qualcomm）、Rambus、Round Rock Research等科技与智能财产授权公司拥有大量具发展性的专利，Conversant与Round Rock同时也称霸NAND Flash专利领域。

　　iRunway半导体部门资深副总裁Carlos Greaves表示，新兴的存储器科技在商业应用上日趋重要，智财权的拥有者会不断寻找将专利资产化为实际利益的新途径，东芝与SK海力士（SK Hynix）对簿公堂、美光与Round Rock Research授权合作，及科技与智财授权公司握有的专利组合品质等，无不印证此一营利趋势。

　　此外，iRunway解决方案部门副总裁Sankar Uppuluri指出，较大型的存储器制造商期望借由合并、结盟以提高效率，因此拥有高价值创新的公司不仅技术为人渴求，宝贵的智财权组合也变得炙手可热，美光收购尔必达（Elpida）、恒忆（Numonyx）及三星收购Grandis就预示着未来半导体存储器产业可能会更进一步整并。

　　另一个可看出智财权地位会日益重要的征兆是专利诉讼案件与日具增，根据iRunway的报告，2007年以降，存储器专利诉讼案增加了5倍，新帝、Conversant IP、德州仪器（Texas Instruments；TI）等为卷入最多专利官司的公司。

　　报告还指出，Super Talent Electronics、汤姆森特许（Thomson Licensing）等有潜力的中小型公司中，有发展性的专利也占有极高比例。如此看来，存储器专利将催生下一波专利大战。

电脑、手机等电子设备需求的增长，除带动了处理器与内存的应用需求，也开启了各家大厂处理器与内存在储存密度、尺寸与效能上的竞逐，不仅智能手机等电子设备专利战打得火热，内存厂商的专利战火同样正在升温。

　　专利研究机构iRunway 即针对 SRAM、DRAM、ROM、NAND Flash、NOR Flash 等内存类别进行调查，调查涵盖八万多项专利的应用现况，以及近 20 年来美国内存专利权的变化，发现各大厂除了并购或合纵连横彼此合作，专利诉讼在近年来也有增加的趋势。

　　内存大厂美国专利盘点

　　iRunway 统计，内存主要大厂美光、三星、东芝、IBM 和英特尔在美国的内存专利数合计约 25%，其中，排名以美光 5,279 件专利为最多，占整体 6.6%；三星 4,740 件为第二，占 5.3%；再来是东芝的 3,514 件与IBM 的 3,372 件。

　　

　　▲美国内存专利数排行前十五名厂商（Source：iRunway ）

　　而高价值的重要创新专利以 SanDisk 444 件为最多，美光 265 件居次，第三名则为英特尔 262 件，再来是三星的 160 件，这几间大厂占了所有开创性专利 20%的份额。iRunway 分析，中小型公司在重要的开创性专利也多有着墨，如 Super Talent 的内存内存专利组合，开创性专利即占了 86%， Thomson Licensing 与 Avalanche 公司开创性专利组合比例也占该公司专利组合的 50%左右。

　　

　　▲美国内存重要创新专利排行前十五名（Source：iRunway ）专利与利益的转换

　　在新的内存领域如 MRAM、PRAM 和 FRAM 业者也积极取得商业认证，IP 方面许可与商业化计划也有所增加。iRunway 半导体部门副总裁 Sankar Uppuluri表示，新兴的内存科技愈发重要，专利拥有者会不断寻求将智财化为实际利益的途径，如东芝与 SanDisk、美光和 Round Rock Research 的技术合作，又或如东芝与 SK 海力士之间的官司，还有 Rambus 一连串的兴讼，都可看出这样的趋势。

　　除了结盟，半导体厂商也透过并购提高效率、增进企业的高价值创新，保持在半导体领域的竞争力。如美光收购了尔必达与恒忆、东芝买下固态储存厂商 OCZ、三星收购 MRAM 厂商 Grandis 等。

　　内存厂商间的专利诉讼比例在近年来攀高，iRunway 分析， 2007 年美国内存专利诉讼案即增加了 5 倍，其中又以 SanDisk、Conversant IP、德州仪器、Rambus 与Intellectual Ventures 等厂商卷入的诉讼官司为最多，专利战火在内存产业也闻得出烟硝。

　　

　　▲1993 年～2012 年内存产业相关专利官司数量（Source：iRunway ）

　　Memory Technology to Fuel the Next Round of Patent Wars: iRunway Research Report