H.266/VVC相关技术学习笔记:O0343——Simplification on CCLM process

这次会议还有一篇关于关于简化CCLM操作的提案也值的大家学习关注。

在WD 5.0中,包括相邻样本位置推导,亮度下采样和线性模型参数推导的CCLM过程具有许多条件分支,这在硬件和软件实现方面是不期望的。因此所提出的方法对于不可用的参考样本,借用WD中帧内预测的参考样本填充过程,使用可用参考样本填充。由此简化CCLM的这些过程。简化的部分如下表所示:
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①简化相邻样本位置推导过程,固定地选择四个点
②简化亮度下采样过程,去除大多数条件分支和各种滤波器,从而使用统一的亮度下采样滤波器。
③简化线性模型参数的推导,始终只用四个点,节省了一些额外操作

首先针对②,有如下测试(Test1):
其中红色框框起来的部分是内部的点,原来用于内部点的亮度下采样滤波器有好多种,而且由于有的相邻像素有效或者无效,因此会有好多种下采样分支以及多种滤波器。
H.266/VVC相关技术学习笔记:O0343——Simplification on CCLM process由于像素点的填充,相邻位置总会有参考像素,因此就可以省去很多操作分支以及滤波器,如下图所示:
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上相邻参考像素的下采样滤波的简化

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左相邻参考像素的下采样滤波的简化
H.266/VVC相关技术学习笔记:O0343——Simplification on CCLM process针对①,选取固定位置的四个点做了如下测试(Test2)
H.266/VVC相关技术学习笔记:O0343——Simplification on CCLM process两个测试结果如下表所示:
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