闪存的物理结构
闪存芯片从小到大依此是由：cell（单元）、page（页）、block（块）、plane（平面）、die（核心）、NAND flash（闪存芯片）组成的。其内部组织架构如下图所示：
- Cell：单元
Cell是闪存的最小工作单位，执行数据存储的任务。闪存根据每个单元内可存储的数据量分成SLC（1bit/Cell）、MLC（2bit/Cell）、TLC（3bit/Cell）和QLC（4bit/Cell），成本依次降低，容量依次增大，耐用度也依次降低。
- Page：页
每个Page又是由大量的Cell单元构成，每个Page的大小通常是16KB。
Page是闪存当中能够读取和写入的最小单位。即如果你需要读取512字节的数据，那在闪存层面上就必须把包含这512字节数据的整个Page页内容全部读出（实际发生的读取16KB）。
- Block：块
每个Block都是由数百乃是数千个Page页组成的。
nand的最小擦除单元是Block。
- Plane：面
每个Plane都是由数百乃是数千个Block页组成的。且每个
- LUN：逻辑单元
LUN又可以称作Die，是闪存内可执行命令并回报自身状态的最小独立单元。
一个闪存Die可以拥有1到多个Plane面。如东芝BiCS3闪存的一个512Gb Die，包含了两个256Gb容量的Plane面，总容量512Gb。
NAND FLASH就是由成千上万个cell按照一定的组织结构组成的。
上图是一个闪存颗粒的内部结构，每一行是其中一个page，一个page由33792个刚才那样的门组成。
共4KByte，注意这里单位是千字节1Byte=8bit
这里总共有64个page，组成了一个block。
wordline是字线，由其控制读取和写入，所以page是最小的读写单位
而这个block是最小的擦除单位。
我们知道闪存颗粒分为SLC MLC TLC
这就是因为对电压的分级不同。
wordline（WL），汉语称字线，对应的还有bitline（BL）位线。wordline是将一定数量（2的n次方）的存储单元的控制端连接起来。当wordline上为H时，存储单元打开，此时BL上就可以读或者写数据到存储单元了。
ref：
https://www.sohu.com/a/286185864_615464
《深入浅出SSD 固态存储核心技术、原理与实战》