FLASH编程过程

1.检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁。
2.检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
3.设置FLASH_CR寄存器的PG位为“1”在指定的地址写入编程的半字。
4.等待BSY位变为0
5.读出写入的地址并验证数据。

STM32的FLASH擦除过程

页擦除和整片擦除

页擦除

1.检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，如果没有则先解锁。
2.检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
3.设置FLASH_CR寄存器的PER位为“1”.
4.用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页
4.用FLASH_CR寄存器的STRT位为“1”
5.设置FLASH_CR寄存器的STRT位为“1”.
6.等待BSY位变为“0”
7.读出被擦除的页并做验证

FLASH全片擦除

1.检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作
2.设置FLASH_CR寄存器的MER位为“1”.
3.设置FLASH_CRR寄存器的STRT为1
4.等待BSY为0
5.读出所有页并验证

FLASH编程过程
programoptionbyte编程选项字节
flash_erasepage页擦除写入AR寄存器
flash_eraseallage全片擦除
flash_eraseOptionBytes擦除选项字节
flash_GetStatus编程的状态
flash_WaitForlastoperation等待上次操作等待SR=0

FLASH编程过程