芯片	说明
SRAM HM6116	静态随机存储器
DRAM 2164	动态随机存储器
EPROM Intel 2732A	可擦除可编程 ROM
74LS138	译码器
74LS373	锁存器
74LS244	缓冲器
74LS245	数据收发器
8259A	可编程中断控制器
8255A	可编程并行接口芯片
8253-5	可编程定时/计数器

1. SRAM 芯片 HM6116

1. HM6116 是一种 2048 x 8 位的高速静态CMOS随机存取存储器
2. 特征：高速度，低功耗，与TTL兼容，管脚引出与标准2K x 8 的芯片（例如 2716 芯片）兼容，完全静态
3. 

2. DRAM 芯片 2164

1. 2164 是 64K x 1 位的芯片
2. 特征：存取速度为150ns / 200ns，低功耗，每2ms 需刷新一遍，每次刷新512个存储单元，2ms 内需有128个刷新周期
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3. EPROM 芯片 Intel 2732A

1. 2732A是一种 4K x 8 位的EPROM，其存取时间为 250ns 和 200ns ，在同8086 CPU 接口是，无需插入等待周期即可正常工作。
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3. （1）12 条地址线：A11~A0
   （2）8 条数据线：O7~O0
   （3）2 条控制线：CE# 为芯片允许线，用来选择芯片。 OE# 为输出允许线，用来把输出数据送上数据线
4. 2732 有 6 种工作方式，读方式，代用方式，编程方式，编程禁止方式，Intel 标识符方式

4. 74LS138 译码器

1. 
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5. 输入输出接口芯片

（1）. 锁存器 74LS373

1. 74LS373 锁存器主要用于锁存地址信息、数据信息以及 DMA 页面地址信息
2. 74LS373锁存器由 8 个 D 门组成，有
   （1） 8 个输入端：1D~8D
   （2） 8 个输出端：1Q~8Q
   （3） 2 个控制端：G 有效时将 D 端数据打入锁存器的 D 门。输出允许端 OE# 有效时，将锁存器中锁存的数据送到输出端 Q 。
   
   
   
   

（2）. 缓存器 74LS244

1. 74LS244 缓存器 主要用于三态输出的存储地址驱动器、时钟驱动器和总线定向接收器和定向发送器
2. 8 个输入端分为两路：1A1_1A4，2A12A4
3. 8 个输出端也分为两路：1Y1_1Y4，2Y12Y4
4. 两个控制信号：1G# 和 2G#
5. 1G# 为低电平时，1Y1~1Y4 的电平与 1A1~1A4 的电平相同
6. 2G# 为低电平时，2Y1~2Y4 的电平与 2A1~2A4 的电平相同
7. 当 1G# 或 2G# 为高电平时，输出为高阻态
8. 
   

（3）. 数据收发器 74LS245

1. 74LS245 通常用于数据的双向传送、缓冲、驱动 等
2. 16 个双向传送的数据端：A1_A8，B1B8
3. 两个控制端：使能端 G# ，方向控制端 DIR ，
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6. 可编程中断控制器 8259A