几种芯片

芯片 说明
SRAM HM6116 静态随机存储器
DRAM 2164 动态随机存储器
EPROM Intel 2732A 可擦除可编程 ROM
74LS138 译码器
74LS373 锁存器
74LS244 缓冲器
74LS245 数据收发器
8259A 可编程中断控制器
8255A 可编程并行接口芯片
8253-5 可编程定时/计数器

1. SRAM 芯片 HM6116

  1. HM6116 是一种 2048 x 8 位的高速静态CMOS随机存取存储器
  2. 特征:高速度,低功耗,与TTL兼容,管脚引出与标准2K x 8 的芯片(例如 2716 芯片)兼容,完全静态几种芯片
  3. 几种芯片

2. DRAM 芯片 2164

  1. 2164 是 64K x 1 位的芯片
  2. 特征:存取速度为150ns / 200ns,低功耗,每2ms 需刷新一遍,每次刷新512个存储单元,2ms 内需有128个刷新周期
  3. 几种芯片
  4. 几种芯片
  5. 几种芯片

3. EPROM 芯片 Intel 2732A

  1. 2732A是一种 4K x 8 位的EPROM,其存取时间为 250ns 和 200ns ,在同8086 CPU 接口是,无需插入等待周期即可正常工作。
  2. 几种芯片
  3. (1)12 条地址线:A11~A0
    (2)8 条数据线:O7~O0
    (3)2 条控制线:CE# 为芯片允许线,用来选择芯片。 OE# 为输出允许线,用来把输出数据送上数据线
  4. 2732 有 6 种工作方式,读方式,代用方式,编程方式,编程禁止方式,Intel 标识符方式

4. 74LS138 译码器

  1. 几种芯片
  2. 几种芯片

5. 输入输出接口芯片

(1). 锁存器 74LS373

  1. 74LS373 锁存器主要用于锁存地址信息、数据信息以及 DMA 页面地址信息
  2. 74LS373锁存器由 8 个 D 门组成,有
    (1) 8 个输入端:1D~8D
    (2) 8 个输出端:1Q~8Q
    (3) 2 个控制端:G 有效时将 D 端数据打入锁存器的 D 门。输出允许端 OE# 有效时,将锁存器中锁存的数据送到输出端 Q 。
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(2). 缓存器 74LS244

  1. 74LS244 缓存器 主要用于三态输出的存储地址驱动器、时钟驱动器和总线定向接收器和定向发送器
  2. 8 个输入端分为两路:1A11A4,2A12A4
  3. 8 个输出端也分为两路:1Y11Y4,2Y12Y4
  4. 两个控制信号:1G# 和 2G#
  5. 1G# 为低电平时,1Y1~1Y4 的电平与 1A1~1A4 的电平相同
  6. 2G# 为低电平时,2Y1~2Y4 的电平与 2A1~2A4 的电平相同
  7. 当 1G# 或 2G# 为高电平时,输出为高阻态
  8. 几种芯片
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(3). 数据收发器 74LS245

  1. 74LS245 通常用于数据的双向传送、缓冲、驱动 等
  2. 16 个双向传送的数据端:A1A8,B1B8
  3. 两个控制端:使能端 G# ,方向控制端 DIR ,
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6. 可编程中断控制器 8259A