电路设计之8：MOS管驱动设计
设计案例：
推挽拓扑，输入电压40V-58V，假设每边用5个IRFP4768 MOS管。请设计驱动电路。
下面是MOS IRFP4768的基本参数：
MOS管在栅极电容充满电后电荷为180nC,MOS管开启延时时间与上升时间之和为36+160=196ns,
关断断延时时间与下降时间之和为57+110=167ns。则所需要驱动电流与放电电流为：
5个MOS管并联则一共需要5到6A的驱动电流，因此可选用驱动芯片为MIC4420。
或者也可以使用其它驱动芯片，输出再加一级推挽驱动电路以确保达到5-6A的驱动电流。
引伸：