ram rom flash

 

1  dram 和 sram 的具体结构是什么，为什么一个要刷新一个不需要

dram 结构： https://www.cnblogs.com/wander-clouds/p/9088028.html

 sram 中有电源 vdd，所以不需要刷新操作，能一直维持数据稳定，

 dram 是靠电容存储，会存在漏电，所以要有刷新操作；

所谓刷新，就是数据读出来，然后重新写进去；读 dram 后电容的 电压会被破坏，也需要重新写进去

 

由于sram 容量小（结构复杂），读写速度快（不需要刷新），一般用在片上cache；   dram 一般用在内存

 

2  sdram ,ssram 中的 s（sync）是什么？

 

本例是 ssram 的实际构造，可以看到 sram（或者dram） 本身是 异步逻辑（从问题1 的实际结构中也可以看到异步逻辑），此处添加了 counter/address reg 模块来与外部时钟同步，所以整个模块变成了 同步模块

 

3 为什么 eeprom 可以长时间保存？

当控制栅相当于漏极+21V电压时，由于电容耦合，浮栅上形成一个正电位，使隧道氧化层中的电场可达10^7V/cm以上，这样便会发生Fowler-Nordheim隧道效应，电子通过氧化层对浮栅充电。这种隧道效应是可逆的，若控制栅接地，漏极加21V电压，则电子从浮栅穿过隧道氧化层跑到漏极，使浮栅放电

也就是说： 只要 漏极 和 控制栅 压差足够大，就会发生 隧道效应 导致 浮珊 充放电，压差变小后逻辑01就保存在了栅极上

rom 文章可参考：https://blog.****.net/mjf110107110/article/details/80177302